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二次離子質譜儀原理的基本特征介紹

更新時間：2024-10-17瀏覽：1805次

　　二次離子質譜儀是利用高能離子束轟擊樣品產生二次離子的質譜儀。主要包括一次離子源、進樣室、質量分析儀、真空系統、數據處理系統等部分，絕緣樣品還配有電荷補償電子中和槍，根據分析目的不同，還有不同的離子源，如氣體放源（O,Ar,Xe)，表面電離源（如Cs)，熱隙源如C60，以及液態金屬和團簇源（Bin,Aun,Ga）等。二次離子質譜儀原理的基本特征如下：

　　1.它的信息深度很小（比1nm還小）；能夠對材料的Z外層（原子層）的結構進行分析。

　　2.空間分辨率非常的高和樣品表面結構（小于50nm）比較清晰。

　　3.能夠檢測質量的范圍包括原子量單位低于12,000的所有材料，包括H和He等元素。

　　4.分子離子峰和官能團碎片峰能夠同時給出；能夠對化合物和有機大分子的整體結構方便地進行分析。

　　5.雙束離子源可用于深度解析度小于1nm的樣品。

　　6.使樣品Z表層的1-3個原子的信息深度獲得；

　　7.能夠檢測同位素進行同位素分析；

　　8.達到PPM-PPB水平的檢測極限。

　　9.能夠對所有元素和化合物同時檢測，離子轉移率能夠達到100％。

　　10.使用GX的電子中和槍能夠對絕緣材料進行準確分析。